Número de pieza del fabricante70T3339S200BC
Fabricante / MarcaIDT, Integrated Device Technology Inc
Cantidad disponible154530 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
70T3339S200BC
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria
9Mb (512K x 18)
Frecuencia de reloj
200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
3.4ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
2.4 V ~ 2.6 V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
256-LBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
256-CABGA (17x17)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
70T3339S200BC

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Número de pieza Fabricante Descripción
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70T3319S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T3319S133DDI IDT 70T3319S133DDI IDT IC ORIGINAL
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