Número de pieza del fabricante71V65603S133BQ
Fabricante / MarcaIDT, Integrated Device Technology Inc
Cantidad disponible152790 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
71V65603S133BQ
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Synchronous ZBT
Tamaño de la memoria
9Mb (256K x 36)
Frecuencia de reloj
133MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
4.2ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
3.135 V ~ 3.465 V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
165-TBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
165-CABGA (13x15)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
71V65603S133BQ

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Número de pieza Fabricante Descripción
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71V632S5PFG IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
71V632S5PFG8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
71V632S5PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
71V632S5PFGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
71V632S6PF IDT 71V632S6PF IDT IC ORIGINAL
71V632S6PFG IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
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