Référence fabricant70T651S10BFI
Fabricant / marqueIDT, Integrated Device Technology Inc
quantité disponible149180 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
70T651S10BFI
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
SRAM
La technologie
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire
9Mb (256K x 36)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
10ns
Temps d'accès
10ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
2.4 V ~ 2.6 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
208-LFBGA
Package de périphérique fournisseur
208-CABGA (15x15)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
70T651S10BFI

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Numéro d'article Fabricant La description
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70T631S12BCI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S12BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S12BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
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