製造業者識別番号70T3539MS133BC8
メーカー/ブランドIDT, Integrated Device Technology Inc
利用可能な数量62070 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード 70T3539MS133BC8.pdf

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品番
70T3539MS133BC8
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Dual Port, Synchronous
メモリー容量
18Mb (512K x 36)
クロック周波数
133MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
4.2ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
2.4 V ~ 2.6 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
256-LBGA
サプライヤデバイスパッケージ
256-CABGA (17x17)
重量
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応用
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交換部品
70T3539MS133BC8

によって作られた関連部品 IDT, Integrated Device Technology Inc

関連キーワード "70T35"

品番 メーカー 説明
70T3509MS133BP IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA
70T3509MS133BPG IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA
70T3509MS133BPGI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA
70T3509MS133BPI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA
70T3519S133BC IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
70T3519S133BC8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
70T3519S133BCI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
70T3519S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
70T3519S133BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
70T3519S133BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
70T3519S133BFGI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA
70T3519S133BFGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA