製造業者識別番号70T633S12BCI
メーカー/ブランドIDT, Integrated Device Technology Inc
利用可能な数量105790 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード 70T633S12BCI.pdf

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品番
70T633S12BCI
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Dual Port, Asynchronous
メモリー容量
9Mb (512K x 18)
クロック周波数
-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
12ns
アクセス時間
12ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
2.4 V ~ 2.6 V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
256-LBGA
サプライヤデバイスパッケージ
256-CABGA (17x17)
重量
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応用
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交換部品
70T633S12BCI

によって作られた関連部品 IDT, Integrated Device Technology Inc

関連キーワード "70T6"

品番 メーカー 説明
70T631S10BCI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S10BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S10BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S12BCI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S12BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S12BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S15BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S15BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T633S10BC IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
70T633S10BC8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA